S'ha informat que Aixtron, el proveïdor mundial d'equips de deposició per a la indústria de semiconductors, va dir que Plessey ha ordenat la seva plataforma AIX G5 + C del reactor planetari. Plessey planeja utilitzar el sistema de deposició de vapors químics orgànics metàl·lics (MOCVD) per augmentar la capacitat de les galetes epitaxials de silici sobre GaN (GaN-on-Si) per a aplicacions MicroLED d'última generació.
El sistema AIX G5 + C MOCVD proporciona un mòdul de transferència d'obleles de casset (C2C) automàtic amb dues opcions de configuració independents de cambra per a obleas GaN-on-Si de 8 * 6 o 5 * 8 "en una càrrega automàtica tancada i eliminació en un ambient de casset .
Ai Siqiang va dir que la tecnologia de neteja automàtica de la nova plataforma del reactor garanteix que l'equip es neteja cada vegada que s'executa, ajudant a reduir les taxes de defectes de l'oblema i reduir significativament el temps d'inactivitat. El nou equip també presenta un final més ràpid i un enfocament més elevat i una major temperatura de descàrrega de susceptors per reduir el temps de la recepta.
La plataforma Reactor AIX G5 + C donarà suport als plans de Plessey per augmentar les seves capacitats de R + D MicroLED amb un xip usant la tecnologia patentada GaN-on-Si de la companyia.
Plessey diu que els seus MicroLED tenen una brillantor extremadament alta i una densitat de píxels i que consumeixen molt poca potència. Aquestes característiques de rendiment tenen el potencial d'impactar una sèrie d'aplicacions existents en tecnologies de visualització tradicionals, incloent LCDs i OLEDs. Aquesta pantalla MicroLED combina una matriu de píxels RGB de molt alta densitat amb un plànol posterior CMOS per proporcionar fonts d'imatge extremadament brillants, de baixa potència i alta velocitat de fotogrames per a dispositius electrònics i pantalles monobloc, així com sistemes de realitat augmentada i realitat virtual.
